晶(jing)圓(yuan)從單(dan)晶(jing)矽棒(bang)拉製完成經曆(li)了切片、研磨、拋(pao)光等(deng)加工工序，中間接(jie)觸(chu)了拋(pao)光劑、研磨料等(deng)各(ge)種化學試劑，同時還受到了微粒的汙染，因此最後(hou)需要將這些雜質清除幹淨(jing)。

　　當分(fen)子型(xing)雜質吸(xi)附在矽片表麵時，化學清洗首先清洗這些有機雜質，可(ke)用四氯化碳、三氯乙烯、甲苯、丙酮、無水乙醇等(deng)有機溶劑，也可(ke)采用濃(nong)硫酸碳化、硝酸或(huo)堿性過(guo)氧化氫洗液氧化等(deng)方法去除。

　　離子型(xing)和原(yuan)子型(xing)吸(xi)附的雜質用鹽酸、硫酸、硝酸或(huo)堿性過(guo)氧化氫洗液以清洗掉(diao)離子型(xing)吸(xi)附雜質，然後(hou)再(zai)用王水或(huo)酸性過(guo)氧化氫清洗掉(diao)殘存的離子型(xing)雜質及(ji)原(yuan)子型(xing)雜質，最後(hou)用高純水將矽片衝洗幹淨(jing)。

　　綜上，清洗矽片的一般步(bu)驟為(wei)：去分(fen)子型(xing)雜質→去離子型(xing)雜質→去原(yuan)子型(xing)雜質→高純水清洗。